FMUSER Originálny MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF výkonový tranzistor Výkonový tranzistor MOSFET N-kanálový-RF tranzistor-FMUSER FM / TV vysielanie

FMUSER Originálny MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF výkonový tranzistor Výkonový MOSFET tranzistor N-kanálové funkcie: ● Číslo dielu MRF173CQ ● Popis FET RF 65V 150MHZ 316-01 ● Podrobný popis RF Mosfet N-kanál 28V 50mA 150MHz 13dB 80W 316-01, štýl 2 ● Dátové listy MRF173CQ ● Informácie o životnom prostredí RoHS certifikát ● HTML datový list MRF173CQ Popis: ● Balenie: Zásobník ● Stav súčasti: aktívny ● Typ tranzistora: N-kanál ● Frekvencia: 150 MHz ● Zisk: 13 dB ● Napätie - test: 28 V ● Jmenovitý prúd (ampér) : 9A ● Obrázok šumu: 1.5 dB ● Prúd - test: 50 mA ● Výkon - výkon: 80 W ● Napätie

detail

Predchádzajúce:FMUSER Originálny výkonový tranzistor RF LDF BLF888A, 600 W, 50 V, UHF, LDMOS

Ďalšie:FMUSER Originálny RF výkonový tranzistor SRF3999 28V 50mA 150MHz 80W RF

Cena (USD)	Pocet (PCS)	Vodná doprava (USD)	Celkom (USD)	spôsob dopravy	Platba
79	1	0	79	Letecká doprava
				Letecká doprava

FMUSER Originálny MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF výkonový tranzistor Výkonový tranzistor MOSFET N-kanál

Vlastnosti:

● Číslo dielu MRF173CQ

● Popis FET RF 65V 150MHZ 316-01
● Detailný popis RF Mosfet N-kanál 28V 50mA 150MHz 13dB 80W 316-01, štýl 2
● listoch MRF173CQ

● Informácie o životnom prostredí Certifikát RoHS

● Datasheet HTML MRF173CQ

Popis:
● obal : Podnos
● Stav časti: aktívny
● Typ tranzistora: N-Channel
● Frekvencia: 150MHz
● Zisk: 13dB
● Napätie - skúška: 28V
● Aktuálny prúd (zosilňovač): 9A
● Obrázok šumu: 1.5 dB
● Prúd - Test: 50mA
● Výkon - výstup: 80W
● Napätie - Menovité: 65V

Aplikácia:

Určené pre širokopásmové komerčné a vojenské aplikácie až do frekvenčného rozsahu 200 MHz. Vysoký výkon, vysoký zisk a širokopásmový výkon tohto zariadenia umožňujú možné polovodičové vysielače pre frekvenčné pásma FM alebo TV kanálov, režim vylepšenia N – Channel MOSFET

Parametre:
Režim vylepšenia N – kanálu MOSFET
● Zaručený výkon pri 150 MHz, 28 V:
Výstupný výkon = 80 W.
Zisk = 11 dB (13 dB typ.)
Účinnosť = 55% min. (60% typ.)
● Nízky tepelný odpor
● Robustnosť testovaná pri menovitom výstupnom výkone
● Nitridom pasivovaná matrica na vylepšenie
● ed spoľahlivosť
● Nízka hlučnosť - typicky 1.5 dB. pri 2.0 A, 150 MHz

● Vynikajúca tepelná stabilita; vhodný pre prevádzku triedy A.