FMUSER Originálny nový MGF2430A RF výkonový tranzistor Výkon MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV vysielanie

FMUSER Originál Nový MGF2430A RF výkonový tranzistor Výkonový MOSFET tranzistor POPIS MGF2430A, GaAs FET s N-kanálovou schottkygate, je navrhnutý pre zosilňovače pásma L až Ku. VLASTNOSTI ● Vysoký výstupný výkon P1dB = 30.5 dBm (TYP) @ f = 14.5 GHz ● Vysoký lineárny zisk GLP = 6.5 dB (TYP.) @ F = 14.5 GHz ● Vysoký výkon s pridanou účinnosťou P.AE = 27% (TYP.) @ F = 14.5 GHz, P1dB ● Hermeticky uzavretý kovový obal APLIKÁCIA ● Pre výkonové zosilňovače v pásme L až Ku KVALITA ● VÝKRES IGOUTLINE ODPORÚČANÉ PODMIENKY BIAS ● Vds = 10 V Ids = 300 mA Rg = 500 ● Absolútne maximálne hodnoty ● Napätie brány VGDO na zdroj ● Napätie brány VGSO na zdroj ● IDSS Sat

detail

Predchádzajúce:1 originálny vysokofrekvenčný tranzistor MRFE6VP5300N

Ďalšie:FMUSER Originálny nový MRF173 RF výkonový tranzistor Výkonový tranzistor MOSFET

Cena (USD)	Pocet (PCS)	Vodná doprava (USD)	Celkom (USD)	spôsob dopravy	Platba
69	1	0	69	letecká pošta
				letecká pošta

FMUSER Originálny nový MGF2430A RF výkonový tranzistorový výkon MOSFET Tranzistor

POPIS

MGF2430A, GaAs FET s N-kanálovou schottkygate, je navrhnutý pre zosilňovače pásma L až Ku.

VLASTNOSTI

●Vysoký výstupný výkon P1dB = 30.5 dBm (TYP) @ f = 14.5 GHz

●Vysoký lineárny zisk GLP = 6.5 dB (TYP.) @ F = 14.5 GHz

●Vysoká účinnosť s pridanou energiou P.AE = 27% (TYP.) @ F = 14.5 GHz, P1dB

●Hermeticky uzavretý kovový obal POUŽITIE

●Pre výkonové zosilňovače pásma L až Ku KVALITA

●VÝKRES IGOUTLINE

ODPORÚČANÉ PODMIENKY BIAS

●Vds = 10 V Ids = 300 mA Rg = 500
●Aboslútne maximálne hodnotenie
●Napätie brány VGDO k zdroju
●VGSO Napätie brány k zdroju
●IDSS nasýtený odtokový prúd
●IGR Prúd reverznej brány
●Prúd brány IGF vpred
●PT * 1 Celkový stratový výkon
●Tch Cannel teplota

●Tstg Skladovacia teplota * 1: Tc = 25 ° C (Ta = 25 ° C)