FMUSER Originálny nový MRF171A RF výkonový tranzistor Výkon MOSFET-RF Transistor-FMUSER Vysielanie FM / TV One-Stop dodávateľ

FMUSER Originálny nový MRF171A RF výkonový tranzistor Výkonový tranzistor MOSFET Popis Určený predovšetkým pre širokopásmový výstup veľkého signálu a budiace stupne od 30 do 200 MHz. Vlastnosti ● Režim vylepšenia N – kanálu MOSFET ● Vynikajúca tepelná stabilita vhodná pre prevádzku Cass A ● Zaručený výkon pri 150 MHz, 28 Vss: Výstupný výkon = 45 W, ● Prírastok výkonu = 17 dB (min.) 'Účinnosť = 60% (min) ● Typické údaje pre aplikácie zosilňovačov v priemyselných, ● komerčných a amatérskych rádiových zariadeniach: ● Typický výkon pri 30 MHz, 28 Vdc: Výstupný výkon = 30 W, Výkon ● Zisk = 20 dB (Typ.) (PEP), Účinnosť = 50 % (typ.), IMD (d3) (30 W PEP) –32 dB (

detail

Predchádzajúce:FMUSER Originálny nový MRF173 RF výkonový tranzistor Výkonový tranzistor MOSFET

Ďalšie:MRFE6VP5300N RF MOSFETOVÝ TRANSISTOR

Cena (USD)	Pocet (PCS)	Vodná doprava (USD)	Celkom (USD)	spôsob dopravy	Platba
56	1	0	56	letecká pošta
				letecká pošta

FMUSER Originálne Nové MRF171A Výkon RF tranzistora MOSFET Tranzistor

Popis

Určené predovšetkým pre širokopásmový výstup veľkého signálu a budič stupne od 30–200 MHz.

Vlastnosti

●Režim vylepšenia N – kanála MOSFET
●Vynikajúca tepelná stabilita vhodná pre prevádzku Cass A.
●Zaručený výkon pri 150 MHz, 28 Vdc: výstupný výkon = 45 W,
●Zisk energie = 17 dB (min.) „Účinnosť = 60% (min.)
●Typické údaje pre aplikácie zosilňovačov v priemysle,

●Obchodné a amatérske rádiové zariadenia:

●Typický výkon pri 30 MHz, 28 VDC: výstupný výkon = 30 W, výkon

●zisk = 20 dB (typ.) (PEP), účinnosť = 50% (typ.), IMD (d3) (30 W PEP) –32 dB (typ.)
●Zlatý špičkový kov
●Nízky Crss - 8 pF @ VDS = 28 V
●100% testované na nesúlad záťaže vo všetkých fázových uhloch s 30: 1 VSWR
●Uľahčuje techniky manuálneho riadenia zisku, ALC a modulácie